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铌酸锂晶体

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掺镁铌酸锂晶片

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  • 具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍!

    所属类别:晶体 » 铌酸锂晶体

    所属品牌:美国CTI公司

    产品负责人:

    姓名:刘工(Pindy)

    电话:186 2116 1650

    邮箱:zhiping-liu@auniontech.com


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  • 掺镁铌酸锂晶片


    具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍!


    美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片(MgO:LN)。 由于没有光折变损伤,具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍。由于MgO的浓度对晶体的性能有很大的影响。因此,需要对MgO浓度进行严格的控制。

    应用:电光调制器太赫兹生成、倍频产生蓝/绿光



    Orientation: Z-axis (all dimensions in mm)



    Part #

    A

    B

    Thickness

    Ø

    -z/+z

    MgO mol%

    97-03044-01

    20.3

    14.0

    0.5

    76.2

    Polished/polished

    5.0

    99-00629-02

    20.3

    14.0

    1.0

    76.2

    Polished/polished

    5.0


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